ВІСНИК Харківського національного університету, том 548,
серія фізична "ЯДРА, ЧАСТИНКИ, ПОЛЯ", вип. 1 /17/, 2002
Титульний лист
(68-Kb PDF file) |
СТАТТІ |
С.А. Дуплий, О.И. Котульская
Суперматричные структуры и обобщенные обратные |
3 |
Н.А. Азаренков, Ю.А. Акимов, В.П. Олефир
Симметричные поверхностные волны в многослойных цилиндрических
волноводных структурах |
15 |
Н.А. Азаренков, В.И. Маслов, Д.Ю. Фролова
Формирование ионных кристаллов
в неравновесной пылевой плазме |
20 |
А.Н. Довбня, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк
О формировании электронного пучка в магнетронной пушке с
вторичноэмиссионным катодом |
23 |
А.Н. Водин, И.В. Ушаков, А.С. Качан, Л.П. Корда,
Р.П. Слабоспицкий
Константы изоспинового взаимодействия, полученные из
энергетического расщепления аналогового и антианалогового состояний в нечетных ядрах с A<70
|
29 |
Н.П. Дикий, Ю.В. Ляшко, И.Д. Федорец
Определение толщины и состава тонких пленок скандия, галлия и
германия методом рентгеноспектрального анализа с возбуждением ускоренными протонами |
33 |
А.А. Щур, В.В. Левенец, А.П. Омельник
Сравнение экспериментальных и теоретических данных по сечениям
характеристического рентгеновского излучения, возбуждаемого протонами с энергиями 1,0 … 2,5 МэВ |
38 |
И.Н. Кудрявцев
Динамика кристаллической решетки ВТСП YBCO в модели
неизохронных гармонических колебаний с дисперсией |
43 |
И.Г. Марченко, А.Г. Гугля, И.М. Неклюдов
Компьютерное моделирование образования азотированных слоев
в железе при высокодозной ионной имплантации |
48 |
В.В. Грицына, С.П. Гоков, Д.И. Шевченко, Н.П. Данилевский,
А.Г. Коваль
Исследование эмиссии возбужденных частиц, распыленных ионами Ar+ с поверхности цинка и его соединений |
53 |
Д.И. Шевченко, В.В. Грицына, Т.М. Слюсаренко, Н.П. Данилевский,
А.Г. Коваль
Ионно-фотонная эмиссия магний-алюминиевой шпинели |
57 |
В.Н. Мельников, В.Т. Коппе, А.Г. Коваль, В.В. Шехурин
Исследование энергетических распределений атомарных вторичных
ионов, распыленных пучком ионов Ar+ с поверхности Al и полупроводника Al0,35Ga0,65As |
61 |
А.Г. Коваль, В.Т. Коппе, В.Н. Мельников, В.В. Шехурин
Энергетические распределения вторичных атомарных и кластерных
ионов, распыленных с поверхности вольфрама |
65 |
А.Г. Коваль, А.Ю. Соболев, В.Н. Кондратюк, Ю.И. Ковтуненко
К вопросу о пространственном распределении возбужденных частиц,
распыленных ионами средних энергий |
69 |
Л.П. Тищенко, Т.И. Перегон, А.Г. Коваль
Образование радиационных дефектов в GaAs и GaP в процессе ионной имплантации дейтерия |
73 |
В.Н. Мельников, Т.П. Белоус, В.А. Коваль
Об особенностях эмиссии вторичных ионов типа AkBn+ при бомбардировке полупроводников группы AIIIBV пучком ионов Ar+ |
77 |
И.П. Частоколенко
Время запаздывания и диффузионный перенос примеси
в бипористом сорбенте (укр.) |
80 |
В.В. Брюховецкий, Р.И. Кузнецова, В.Ф. Клепиков, В.В. Литвиненко,
В.Ф. Кившик, В.А. Бычко
Термоактивационный анализ сверхпластического течения
электролитических фольг меди |
85 |
А.Н. Великодный, Т.А. Игнатьева
Электро- и теплопроводность сплавов Mo1-xRex при низких температурах |
89 |
В.П. Журенко, А.С. Кононенко, С.И. Кононенко, В.И. Муратов
Математическое моделирование вторичноэмиссионных процессов,
индуцированных быстрыми ионами |
93 |
А.И. Великодный, В.Г. Кириченко
Особенности циклического перемагничивания деформированного
ферромагнитного сплава Co-Fe-Nb |
96 |
КОНСТАНТЫ ИЗОСПИНОВОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ, ПОЛУЧЕННЫЕ ИЗ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО РАСЩЕПЛЕНИЯ АНАЛОГОВОГО И
АНТИАНАЛОГОВОГО СОСТОЯНИЙ В НЕЧЕТНЫХ ЯДРАХ С А < 70
А.Н. Водин, И.В. Ушаков, А.С. Качан, Л.П. Корда, Р.П. Слабоспицкий
Анотація
На основе анализа данных об энергетическом расщеплении аналогового и антианалогового состояний
в ядрах с А < 70 проведена экспериментальная оценка параметра V1 изовекторной части одночастичного потенциала в ядре и константы f0' эффективного изоспинового взаимодействия квазичастиц. Рассмотрены только одночастичные 2p3/2-, 1f7/2-, и 1g9/2- уровни T> = T0 + 1/2 и T< = T0 - 1/2, имеющие спектроскопические факторы Sp > 0,6. Выявлено, что величины V1 и f0' имеют различные значения для аналоговых резонансов с T> = 3/2, 5/2, 7/2 и 9/2. Установлено, что в области ядер с 20 < N < 28 наблюдаются заметные расхождения теоретической оценки f0' с ее экспериментальным значением. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: изобарический спин, аналоговый резонанс, микроскопическая модель, оболочечная модель, константы изоспинового взаимодействия. |
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТОЛЩИНЫ И СОСТАВА ТОНКИХ ПЛЕНОК СКАНДИЯ, ГАЛЛИЯ И ГЕРМАНИЯ МЕТОДОМ
РЕНТГЕНОСПЕКТРАЛЬНОГО АНАЛИЗА С ВОЗБУЖДЕНИЕМ УСКОРЕННЫМИ ПРОТОНАМИ
Н.П. Дикий, Ю.В. Ляшко, И.Д. Федорец
Анотація
Представляется процедура определения с помощью возбуждаемого низкоэнергетическими протонами
характеристического рентгеновского излучения толщины и состава осажденных на толстые танталовые
подложки тонких пленок скандия, галлия и германия, в качестве альтернативы другим неразрушающим
методaм. Эта процедура была использована в диапазоне толщин от 0,28 до 1,7 мкм при энергии протонов Еp = 1,3 МэВ. Результаты сравниваются с данными, полученными ранее методом взвешивания. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: скандий, галлий, германий, тонкие пленки,
измерение толщин. |
СРАВНЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ДАННЫХ ПО СЕЧЕНИЯМ ХАРАКТЕРИСТИЧЕСКОГО
РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, ВОЗБУЖДАЕМОГО ПРОТОНАМИ С ЭНЕРГИЯМИ 1,0 … 2,5 МЭВ
А.А. Щур, В.В. Левенец, А.П. Омельник
Анотація
В работе измерены выходы характеристического рентгеновского излучения (х.р.и.) К-серии,
возбуждаемого протонами в толстых мишенях, изготовленных из чистых веществ либо химических
соединений элементов от K до Zn, Zr, Nb и Mo. Энергия протонов изменялась от 1,0 до 2,5 МэВ с
шагом 100 кэВ. Х.р.и. регистрировалось Si(Li) детектором, зависимость эффективности регистрации
которого от энергии квантов определена с помощью калиброванных источников гамма-излучения. По
измеренным выходам х.р.и. с использованием табличных данных о тормозных потерях протонов и
коэффициентах поглощения рентгеновского излучения в веществе определены сечения возбуждения х.р.и.
Полученные величины сечений сравнены с экспериментальными данными других авторов, с сечениями
ионизации, вычисленными по теоретическим моделям и эмпирическим формулам. В результате
проведенного сравнения определено аналитическое выражение, наиболее точно описывающее величины
сечений ионизации К-оболочки в исследованном диапазоне энергий протонов и атомных номеров
элементов. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: характеристическое рентгеновское излучение,
сечения, протоны, теоретические модели, эмпирические формулы. |
ИОННО-ФОТОННАЯ ЭМИССИЯ МАГНИЙ - АЛЮМИНИЕВОЙ ШПИНЕЛИ
Д.И. Шевченко, В.В. Грицына, Т.М. Слюсаренко, Н.П. Данилевский,
А.Г. Коваль
Анотація
В работе приведены результаты исследования ионно-фотонной эмиссии магний - алюминиевой шпинели
- сложного соединения оксидных материалов MgOnAl2O3. Исследован спектральный состав и квантовый выход излучения распыленных частиц при бомбардировке ионами
Ar+ образцов MgOnAl2O3 (n=1; 2,5) и металлического Al
в остаточном вакууме и при давлении кислорода Po2 = 5·10-5 Торр. Установлено,
что наблюдается только излучение выбитых возбужденных частиц металла, как атомов (линии спектров
Al I и Mg I), так и ионов (линий спектров Al II, Al III, Mg II). Анализ квантового выхода излучения
линий спектра Al I показал, что на вероятность отлета в возбужденном состоянии атомов Al
существенное влияние оказывают процессы безизлучательной потери возбуждения резонансного типа.
Это дало возможность сделать оценку ширины зоны проводимости m исследуемой шпинели (энергетической зоны между верхней границей запрещенной зоны и уровнем вакуума) было установлено, что m » 1 эВ. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: шпинель, возбужденные частицы, распыление, квантовый выход. |
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ РАСПРЕДЕЛЕНИЙ АТОМАРНЫХ
ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ, РАСПЫЛЕННЫХ ПУЧКОМ ИОНОВ Ar+ С ПОВЕРХНОСТИ Al И ПОЛУПРОВОДНИКА Al0,35Ga0,65As
В.Н. Мельников, В.Т. Коппе, А.Г. Коваль, В.В. Шехурин
Анотація
В работе в диапазоне энергий 2 - 2000 эВ исследованы энергетические распределения вторичных ионов Al+ и Ga+, распыленных с поверхности алюминия и полупроводника Al0,35Ga0,65As пучком ионов Ar+ с энергией 18 кэВ и плотностью тока 1·10-5 A/см2 при парциальных давлениях кислорода от 10-7 до 6,5·10-3 Па. Установлено, что энергетические распределения ионов Al+ и Ga+ широкие (занимают весь исследованный интервал энергий) и имеют структуру, зависящую от материала образца и вида ионов. Воздействие кислорода в случае алюминия приводит к резкому увеличению выхода низкоэнергетических ионов Al+; в случае Al0,35Ga0,65As почти не влияет на энергораспределение ионов Ga+ и приводит к небольшому росту выхода низкоэнергетических ионов Al+. Результаты объясняются с использованием модели туннельных резонансных переходов, происходящих при отлете иона от поверхности. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: алюминий, полупроводники
AIIIBV, вторичная ионная эмиссия, энергетические спектры, МСВИ.
|
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ВТОРИЧНЫХ АТОМАРНЫХ И КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ, РАСПЫЛЕННЫХ С ПОВЕРХНОСТИ
ВОЛЬФРАМА
А.Г. Коваль, В.Т. Коппе, В.Н. Мельников, В.В. Шехурин
Анотація
Приведены энергетические распределения вторичных атомарных и кластерных ионов, распыленных
пучком ионов Ar+ с Е = 18 кэВ c чистой и покрытой в различной степени адсорбированным кислородом и окислами поверхности вольфрама. Показано, что энергетические распределения вторичных атомарных ионов широкие, простирающиеся до 2 кэВ и более, с максимумом в области энергий 100 - 200 эВ. С увеличением давления кислорода происходит увеличение выхода вторичных ионов во всем исследованном интервале энергий. Димерные и кластерные ионы имеют более узкое энергораспределение с максимумом в низкоэнергетической области (10 - 40 эВ). Полученные результаты свидетельствует в пользу каскадного механизма распыления, на который накладывается механизм резонансных туннельных переходов электронов между металлом и распыленным ионом. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: энергетические распределения, вторичные ионы, влияние кислорода, каскадные процессы, туннельные переходы. |
К ВОПРОСУ О ПРОСТРАНСТВЕННОМ РАСПРЕДЕЛЕНИИ ВОЗБУЖДЕННЫХ ЧАСТИЦ, РАСПЫЛЕННЫХ ИОНАМИ СРЕДНИХ
ЭНЕРГИЙ
А.Г. Коваль, А.Ю. Соболев, В.Н. Кондратюк, Ю.И. Ковтуненко
Анотація
Предложен новый подход для объяснения пространственного распределения интенсивности излучения
возбужденных атомарных частиц, распыленных с поверхности материалов с различной электронной
структурой. В основу его положен расчет интенсивности излучения возбужденных частиц всего спектра
энергий в точках пространства, удаленных на разные расстояния от мишени. Наблюдается хорошее
совпадение расчетных и экспериментально полученных распределений интенсивности. Такое согласие
наблюдается при условии каскадного механизма распыления, на который накладывается механизм
туннельных резонансных переходов электрона между распыленной частицей и твердым телом, что имеет
место в случае чистых поверхностей металлов. В случае исследованных диэлектриков в расчете
учитывался только механизм каскадного распыления. Любопытно, что процесс возбуждения при таком
рассмотрении отдельно не проявляется. Это может свидетельствовать о том, что возбуждение частицы
происходит в одном акте с ее распылением. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: пространственное распределение, интенсивность
излучения, аналитический расчет, возбуждение, выживание, распыление. |
ОБ ОСОБЕННОСТЯХ ЭМИССИИ ВТОРИЧНЫХ ИОНОВ ТИПА AkBn+ ПРИ БОМБАРДИРОВКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ГРУППЫ AIIIBV ПУЧКОМ ИОНОВ Ar+
В.Н. Мельников, Т.П. Белоус, В.А. Коваль
Анотація
В работе рассмотрены закономерности эмиссии положительных матричных вторичных ионов (ионов типа
AkBn+) при бомбардировке чистой поверхности бинарных
полупроводников группы AIIIBV (GaAs, GaP, InAs, InP) ионами Ar+ с энергией 2 кэВ при плотности тока пучка 3·10-8 А/см2. Установлено, что выход ионов типа Ak+ и Bk+ c увеличением сложности кластера уменьшается по экспоненциальному закону; выход кластерных ионов, содержащих одновременно атомы A и B (AkB+ и AkB2+), немонотонно изменяется по мере усложнения кластера. Изменение выхода таких кластеров при изменении k от 1 до 4 не превышает 5 - 6 раз. Результаты объясняются на основе анализа процессов выбивания, ионизации и выживания при отлете от поверхности кластеров различного состава с учетом различий сил связи между атомами в кластерах. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: эмиссия, вторичная ионная эмиссия, кластерные ионы, МСВИ, полупроводники AIIIBV, GaAs, InAs, GaP, InP. |
ТЕРМОАКТИВАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ СВЕРХПЛАСТИЧЕСКОГО ТЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ ФОЛЬГ МЕДИ
В.В. Брюховецкий, Р.И. Кузнецова, В.Ф. Клепиков, В.В. Литвиненко,
В.Ф. Кившик, В.А. Бычко
Анотація
Проведен термоактивационный анализ сверхпластического течения электролитических фольг меди в
области высоких гомологических температур. Установлено, что величина энергии активации
сверхпластической деформации фольг меди совпадает с величиной энергии активации главного
деформационного механизма в этих условиях - зернограничного проскальзывания. Впервые предложена
методика определения энергии активации развития зернограничных пор в условиях сверхпластичности.
Показано, что энергия активации развития пор совпадает как с общей энергией активации деформации
фольг, так и с энергией активации зернограничного проскальзывания. Это свидетельствует о том, что
процесс развития пористости находится во взаимосвязи с зернограничным проскальзыванием и
контролируется тем же микромеханизмом, что и сверхпластическое течение. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: сверхпластичность, зернограничное
проскальзывание, зернограничные поры, энергия активации, электролитические фольги меди.
|
МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВТОРИЧНОЭМИССИОННЫХ ПРОЦЕССОВ, ИНДУЦИРОВАННЫХ БЫСТРЫМИ ИОНАМИ
В.П. Журенко, А.С. Кононенко, С.И. Кононенко, В.И. Муратов
Анотація
В статье рассматривается элементарная ячейка, являющаяся основным элементом вторичноэмиссионного радиоизотопного источника тока. Представлены результаты математического моделирования вторичноэмиссионных процессов, индуцированных быстрыми a-частицами в элементарной ячейке, состоящей из Al и Cu. Полученное значение избыточного заряда, возникающего в исследуемой ячейке при прохождении одной a-частицы, свидетельствует о том, что существенную роль в балансе зарядов в элементарной ячейке играет вторичная электронная эмиссия. Полученные в результате моделирования энергетические спектры этой эмиссии, имеющие степенной характер, показывают, что процессом, вносящим основной вклад в создание избыточного заряда, является истинно вторичная электронная эмиссия, а упруго отраженными электронами можно пренебречь. |
КЛЮЧОВІ СЛОВА: быстрые ионы, ион-электронная эмиссия, вторичная электронная эмиссия, вторичные электроны, электронный выход, энергетический спектр. |