ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ И ОСОБЕННОСТЕЙ СВОЙСТВ ВЫСОКОЧИСТОГО ВОЛЬФРАМА
В.Г. Глебовский, Г.П. Ковтун, Н.Г. Ковтун, Е.Д. Штинов
Full Text : (165 kB)
Анотація
Исследованы процессы глубокого рафинирования вольфрама с использованием комплекса химических и физических методов в определенной последовательности: ионный обмен, термическое разложение, зонная сублимация, водородное восстановление, электронно-лучевая зонная плавка. После рафинирования комплексными методами, большинство примесных элементов (~60 элементов), содержащихся в вольфраме, находятся на уровне 10-6 ÷ 10-7 ат. %, а отношение электросопротивлений R300K/R4.2K монокристаллических образцов вольфрама достигает 100000. Данный уровень чистоты вольфрама соответствует лучшим мировым достижениям. У высокочистых монокристаллов вольфрама в области гелиевых температур обнаружен ряд новых свойств, не наблюдавшихся ранее: аномально высокое магнитосопротивление, изменение величины коэффициента Холла, появления статического скин-эффекта.
|